高深宽比结构中具有改良阶梯覆盖之密闭性ＣＶＤ盖;HERMETIC CVD-CAP WITH IMPROVED STEP COVERAGE IN HIGH ASPECT RATIO STRUCTURES

摘要

本文所述具体例大体上系关于用于形成具高深宽比特征之介电质薄膜的方法。在一具体例中，提供一种形成氧化矽层的方法。使含矽前驱物气体流入具有基板之处理腔室，该基板具有设置其中之高深宽比特征。然后，将高频电浆施加至含矽前驱物气体，以于高深宽比特征之表面上沉积含矽层。冲洗处理腔室，以移除来自含矽层沉积制程之副产物。使含氧前驱物气体流入处理腔室。将高频电浆及低频电浆施加至含氧前驱物气体以形成氧化矽层。