非挥发性记忆体部份抹除方法

主权项

一种非挥发性记忆体部份抹除方法，适用于抹除一非挥发性记忆体之一目标抹除区域，其中上述非挥发性记忆体分为上述目标抹除区域以及一非选择区域，一抹除周期之步骤包括：界定上述非挥发性记忆体之上述目标抹除区域，其中上述非选择区域系为上述非挥发性记忆体上除了上述目标抹除区域之区域；抹除上述目标抹除区域之复数目标记忆体单元，其中上述目标记忆体单元设定为具有不大于一抹除验证电压之临限电压；软编程上述目标记忆体单元，其中上述目标记忆体单元设定为具有不小于一软编程验证电压之临限电压，上述软编程验证电压系小于上述抹除验证电压；以及刷新上述非选择区域之一既定部份，其中在上述抹除周期中被刷新之上述既定部份小于上述非选择区域。