| 发明名称 |
制造半导体本体之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI498952 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW101112906 |
申请日期 |
2012.04.12 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
普兹梅尔 可宾年;祖儿 荷瑞伯特;艾伯哈 法兰兹;威特 汤玛斯;坎普 马塞斯;丹纳马克 珍斯 |
| 分类号 |
H01L21/301 |
主分类号 |
H01L21/301 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种制造半导体本体(3)之方法，具有以下步骤：-制备半导体晶圆，具有至少二个晶片区(1)及至少一个分离区(2)，其配置在所述晶片区(1)之间，其中该半导体晶圆具有层序列，其最外层至少在该分离区(2)内部具有一透过层(8)，其可透过电磁辐射，-进行以下至少一种措施：去除该分离区(2)内部之该透过层(8)，在该分离区内部施加一吸收层(16)，该吸收层(16)具有一种熔化温度及/或沸点温度，其大于该透过层(8)之熔化温度及/或沸点温度，使该分离区内部之该透过层之吸收系数提高，及-藉由雷射以沿着该分离区(2)使所述晶片区(1)分离。
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| 地址 |
德国 |
