| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 원자층 증착 장치에 관한 것으로, 공정챔버 내부의 지지부재에 놓여진 기판들에 원자층을 증착하는 방법은 기판들이 놓여진 지지부재를 회전시키는 단계; 공정챔버 내부로 제1반응가스, 퍼지가스, 제2반응가스 그리고 퍼지가스를 공급하는 단계; 공정챔버 내부로 공급되는 제1반응가스, 퍼지가스, 제2반응가스 그리고 퍼지가스가 독립된 배플들을 통해 상기 지지부재에 놓여진 기판들 각각의 상면으로 분사하는 단계; 및 회전하는 지지부재에 놓여진 기판들이 가스들에 노출되면서 기판상에 박막을 형성시키는 단계; 미반응가스를 외부로 펌핑하는 단계를 포함하되; 가스 공급 단계는 제1반응가스 및 제2반응가스가 짧은 시간안에 기판의 처리면 전체에 분출 및 확산되도록 제1반응가스 및 제2반응가스가 고압으로 충전되는 고압충전탱크들을 구비하여, 해당되는 배플들로 고압충전탱크들에 충전되어 있는 제1반응가스 및 제2반응가스를 순차적으로 공급한다.</p> |
