氮氧化矽膜及其制造方法、电晶体;SILICON OXYNITRIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TRANSISTOR

摘要

本发明提供一种绝缘特性优异、可较佳地用作电晶体的闸极绝缘膜的氮氧化矽膜及其制造方法、以及电晶体。本发明的氮氧化矽膜是使用矽氮烷化合物所制作的氮氧化矽膜，且藉由FT-IR测定所得的吸收光谱中的来自Si-N键的吸收强度(ISi-N)与来自Si-O键的吸收强度(ISi-O)的比(ISi-N/ISi-O)为1.00以上。