| 发明名称 |
气相成长方法;VAPOR PHASE GROWTH METHOD |
| 摘要 |
本发明的实施方式的气相成长方法使用具备反应室、搬送室、及待机室的气相成长装置。于在第1基板上形成含有镓(Ga)的膜之后，藉由被覆膜对附着于支持部的附着物进行被覆，或者去除附着于支持部的附着物。其后，连续地对表面为矽(Si)的多个基板形成氮化铝膜，将多个基板搬入至待机室。其后，将多个基板依序自待机室搬入至反应室，连续地形成含有镓(Ga)的膜。 |
| 申请公布号 |
TW201533260 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW104101397 |
申请日期 |
2015.01.16 |
| 申请人 |
纽富来科技股份有限公司 NUFLARE TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
山田拓未 YAMADA, TAKUMI;佐藤裕辅 SATO, YUUSUKE |
| 分类号 |
C23C16/34(2006.01);C23C16/44(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 JP |
