半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

提供一种新颖半导体装置具有使用氧化物半导体薄膜之电晶体，其中包括Cu之导电膜被使用作为接线等等。该半导体装置包括第一绝缘膜、在第一绝缘膜上之氧化物半导体、重叠氧化物半导体之闸极电极具有第一闸极绝缘膜位于它们之间、接触闸极电极之顶表面的第二绝缘膜及接触闸极电极之顶表面的第三绝缘膜。闸极电极包括一Cu-X合金薄膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta、Ti、Zr、Mg、Ca或两个或多个这些元素之混合物)。