发明名称 光阻下层膜形成方法及图案形成方法
摘要
申请公布号 TWI498678 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW103115988 申请日期 2014.05.05
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 野中汐里;橘诚一郎;郡大佑;藤井俊彦;荻原勤
分类号 G03F7/11;H01L21/027 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种光阻下层膜形成方法,系在微影步骤使用的光阻下层膜的形成方法,包括以下步骤:将含有具芳香族环单元之有机化合物的光阻下层膜形成用组成物涂布于基板上;将已涂布之该光阻下层膜于氧浓度低于10%之环境中以50℃~350℃进行热处理后,于氧浓度10%以上之环境中以150℃~600℃热处理10秒~600秒;该具芳香族环单元之有机化合物,系使用含有下列通式(1)表示之结构及下列通式(2)表示之结构之任一者、或其两者作为重复单元者; R1、R2、R3、R4、R5、R6可相同或不同而为氢原子、羟基、或碳数1~20之一价有机基,R7为单键或碳数1~20之二价有机基;A为单键或碳数1~30之二价有机基;q及r为0、1、或2,s为0或1,p为质量平均分子量成为100,000以下的任意自然数。
地址 日本