| 发明名称 | 动态记忆体结构 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI499006 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW101134113 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 钰创科技股份有限公司 | 发明人 | 郭明宏 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种动态记忆体结构，包含：一基材；位于该基材上并沿着一第一方向延伸之一第一条状(strip)半导体材料；位于该基材上并沿着一第二方向延伸之一断开闸极(split gate)，其包含独立之一第一区块(block)以及一第二区块，而将该第一条状半导体材料分成一第一源极端、一第一汲极端及一第一通道区；一第一介电层，至少部份夹置于该断开闸极与该基材之间；一第一闸极介电层，至少部份夹置于该断开闸极与该第一条状半导体材料之间；以及一第一电容单元，与该第一源极端电连接。 | ||
| 地址 | 新竹市科学工业园区科技五路6号 | ||