发明名称 |
非挥发性记忆体写入装置以及方法;DEVICES AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY WRITING |
摘要 |
一种非挥发性记忆体写入装置,包括:快闪式记忆体、选取模组、升压模组以及写入模组。快闪式记忆体包括选取阵列,选取阵列包括基体、位元线以及字元线。选取模组选取位元线之写入位元线以及字元线之写入字元线,其中写入位元线之邻近位元线系为浮接。升压模组产生行高电压、列高电压以及负电压。当升压模组于升压过程中,写入模组将负电压施加至位元线,当升压模组完成产生行高电压、列高电压以及负电压时,写入模组将行高电压施加于写入字元线,选取模组将列高电压施加于写入位元线。 |
申请公布号 |
TW201533741 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
申请号 |
TW103105594 |
申请日期 |
2014.02.20 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. |
发明人 |
林宏学 LIN, HUNG HSUEH |
分类号 |
G11C16/08(2006.01);G11C16/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 TW |