发明名称 非挥发性记忆体写入装置以及方法;DEVICES AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY WRITING
摘要 一种非挥发性记忆体写入装置,包括:快闪式记忆体、选取模组、升压模组以及写入模组。快闪式记忆体包括选取阵列,选取阵列包括基体、位元线以及字元线。选取模组选取位元线之写入位元线以及字元线之写入字元线,其中写入位元线之邻近位元线系为浮接。升压模组产生行高电压、列高电压以及负电压。当升压模组于升压过程中,写入模组将负电压施加至位元线,当升压模组完成产生行高电压、列高电压以及负电压时,写入模组将行高电压施加于写入字元线,选取模组将列高电压施加于写入位元线。
申请公布号 TW201533741 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW103105594 申请日期 2014.02.20
申请人 华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 发明人 林宏学 LIN, HUNG HSUEH
分类号 G11C16/08(2006.01);G11C16/10(2006.01) 主分类号 G11C16/08(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 台中市大雅区科雅一路8号 TW