| 发明名称 | 半导体基板之制法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI499020 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW101144424 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 高乃澔;江文荣;陈俊龙;李信宏 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/12 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 | |
| 主权项 | 一种半导体基板之制法，系包括：提供一内部具有复数导电穿孔之基板本体，且该基板本体系定义有相对之置晶面与中介面；形成第一线路重布结构于该基板本体之中介面上；以及形成第二线路重布结构于该基板本体之置晶面上，且该第一线路重布结构之线路层数系少于该第二线路重布结构之线路层数。 | ||
| 地址 | 台中市潭子区大丰路3段123号 | ||