发明名称 半导体装置及其制造方法与电子装置
摘要
申请公布号 TWI499025 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW100112831 申请日期 2011.04.13
申请人 新力股份有限公司 发明人 脇山悟;尾崎裕司
分类号 H01L23/52;H01L21/60;H01L23/28 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其包括:一第一半导体晶片,其具有至少形成于该第一半导体晶片之一表面上的一固态成像区段,该第一半导体晶片具有形成于与形成该固态成像区段之表面相同之一表面上的一第一连接区段;一第二半导体晶片,其具有形成于该第二半导体晶片之一表面上的一第二连接区段,且以一凸块使该第一连接区段与该第二连接区段彼此连接,藉此将该第二半导体晶片安装于该第一半导体晶片上;一坝,其经形成以填充于该第二半导体晶片之一外缘之至少一部分中的该第一半导体晶片与该第二半导体晶片之间的一间隙,该第二半导体晶片之该外缘之该部分系在形成该固态成像区段之一区域之一侧上;一凸块区段,其系形成于该第一半导体晶片上,其中该凸块区段及该坝共同形成一环形形状;及一侧填满树脂层,其系提供于该第一半导体晶片与该第二半导体晶片之间的该间隙中,以使得藉由该坝防止该侧填满树脂层自该第二半导体晶片之该外缘向该固态成像区段之一侧突出,其中该侧填满树脂层包括位于由该环形形状所形成之一区域内之一填角。
地址 日本