发明名称 记忆体电路及具备彼之电压检测电路
摘要
申请公布号 TWI498895 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW099125100 申请日期 2010.07.29
申请人 精工电子有限公司 发明人 渡边考太郎;冈智博;铃木照夫
分类号 G11C16/00 主分类号 G11C16/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种进行非挥发性记忆体元件的资料读出及写入之记忆体电路,其特征系具备:第一开关,其系设于第1信号的节点与第2信号的节点之间;第二导电型的第一MOS电晶体,其系对于前述非挥发性记忆体元件进行前述资料的负载时及写入时被控制成关闭,读出时被控制成开启,并将源极连接至第二电源端子,将汲极连接至前述第2信号的节点;第二导电型的第二MOS电晶体,其系将闸极连接至前述第2信号的节点且在第一电源电压的输入前述闸极时开启,在第二电源电压的输入前述闸极时关闭,将源极连接至前述第二电源端子,将汲极连接至反相器的输入端子;第二导电型的第三MOS电晶体,其系于负载时及写入时被控制成关闭,读出时被控制成开启,并将源极经由电流源来连接至前述第二电源端子,将汲极连接至前述反相器的输入端子;第一导电型的前述非挥发性记忆体元件,其系将源极连接至第一电源端子;第一导电型的第四MOS电晶体,其系将源极连接至前述第一电源端子;第一导电型的第五MOS电晶体,其系将源极连接至前述非挥发性记忆体元件及前述第四MOS电晶体的汲 极,且将汲极连接至前述反相器的输入端子;前述反相器;第一控制电路,其系控制前述第四MOS电晶体,以使前述第四MOS电晶体能够在负载时开启,在写入时及读出时关闭;及第二控制电路,其系控制前述第五MOS电晶体,以使前述第五MOS电晶体能够在负载时,在第一电源电压的输入前述第五MOS电晶体时关闭,在第二电源电压的输入前述第五MOS电晶体时开启,且在写入时及读出时开启。
地址 日本