磁电阻式随机存取记忆体装置及其制造方法

主权项

一种磁电阻式随机存取记忆体装置之制造方法，该磁电阻式随机存取记忆体装置具有多个磁性穿隧接点单位，且该制造方法包括：形成一底导电层；形成一反铁磁层；形成一穿隧层于该底导电层与该反铁磁层上方；形成一磁性自由层于该穿隧层上，该磁性自由层具有对齐于一方向的磁距，且该方向可藉由施加外部电磁力来调整；形成一顶导电层于该磁性自由层上；进行至少一微影制程，移除未被一光阻层遮盖的该底导电层、该反铁磁层、该穿隧层、该磁性自由层及该顶导电层，直到露出该底导电层；以及移除至少一部份的磁性穿隧接点单位之侧壁。