发明名称 Ⅲ族氮化物结晶基板、附磊晶层之Ⅲ族氮化物结晶基板、以及半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI499082 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW099140249 申请日期 2010.11.22
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 石桥惠二;善积佑介;美浓部周吾
分类号 H01L33/16 主分类号 H01L33/16
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种III族氮化物结晶基板,其系于利用一方面满足III族氮化物结晶基板(1)之任意之特定平行晶格面(1d)的X射线绕射条件、一方面改变自上述结晶基板之主表面(1s)起的X射线穿透深度之X射线绕射测定而获得的上述特定平行晶格面(1d)之面间隔中,当将上述X射线穿透深度为0.3μm之上述面间隔表示为d1,将上述X射线穿透深度为5μm之上述面间隔表示为d2时,|d1-d2|/d2之值所表示之上述结晶基板之表面层(1p)的均匀畸变为1.7×10-3以下,且上述主表面(1s)之面方位具有自包含上述结晶基板之c轴(1c)之面(1v)向[0001]方向倾斜-10°以上10°以下的倾斜角。
地址 日本