真空层压装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其特征在于：具备框架结构，其围绕附带支撑基材之密封材料的至少侧面，该附带支撑基材之密封材料是在支撑基材上积层热硬化性树脂层作为密封材料而成，前述框架结构具有保持手段，该保持手段保持搭载有半导体元件之基板或形成有半导体元件之晶圆，并使搭载有半导体元件之基板或形成有半导体元件之晶圆隔着空间地与前述附带支撑基材之密封材料的热硬化性树脂层相对向，前述装置将被前述框架结构围绕的前述附带支撑基材之密封材料与前述基板或晶圆一起进行真空层压。藉此，尤其是即便在使用大面积的基板(或晶圆)的情况下，也会抑制树脂层内的孔隙的发生和基板(或晶圆)的翘曲，并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。