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发明名称
电晶体结构及其制作方法;TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
一种电晶体结构及其制作方法,其中电晶体结构包括一闸极、一绝缘层、一图案化半导体层、一源极以及一汲极以及一光吸收层。闸极配置于基板上。闸极的面积重叠图案化半导体层的面积。绝缘层位于闸极与图案化半导体层之间。源极以及汲极彼此分离,且源极与汲极接触于图案化半导体层。图案化半导体层位于光吸收层以及基板之间。光吸收层的面积覆盖图案化半导体层的面积。光吸收层的吸收光谱波长涵盖图案化半导体层的吸收光谱波长。
申请公布号
TW201533909
申请公布日期
2015.09.01
申请号
TW103105304
申请日期
2014.02.18
申请人
纬创资通股份有限公司 WISTRON CORPORATION
发明人
高启仁 KAO, CHI JEN;彭玉容 PENG, YU JUNG;王怡凯 WANG, YI KAI
分类号
H01L29/786(2006.01)
主分类号
H01L29/786(2006.01)
代理机构
代理人
叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址
新北市汐止区新台五路1段88号21楼 TW
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