发明名称 电晶体结构及其制作方法;TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 一种电晶体结构及其制作方法,其中电晶体结构包括一闸极、一绝缘层、一图案化半导体层、一源极以及一汲极以及一光吸收层。闸极配置于基板上。闸极的面积重叠图案化半导体层的面积。绝缘层位于闸极与图案化半导体层之间。源极以及汲极彼此分离,且源极与汲极接触于图案化半导体层。图案化半导体层位于光吸收层以及基板之间。光吸收层的面积覆盖图案化半导体层的面积。光吸收层的吸收光谱波长涵盖图案化半导体层的吸收光谱波长。
申请公布号 TW201533909 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW103105304 申请日期 2014.02.18
申请人 纬创资通股份有限公司 WISTRON CORPORATION 发明人 高启仁 KAO, CHI JEN;彭玉容 PENG, YU JUNG;王怡凯 WANG, YI KAI
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 新北市汐止区新台五路1段88号21楼 TW