发明名称 半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
摘要 本发明揭露一种半导体装置,包括一基底,其具有一隔离结构位于其中。一电容元件位于隔离结构上,且包括一多晶矽电极、设置于多晶矽电极上的一绝缘层以及设置于绝缘层上的一金属电极。本发明亦揭露一种半导体装置的制造方法。
申请公布号 TW201533904 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW103105054 申请日期 2014.02.17
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 罗宗仁 LAO, CHUNG REN;刘兴潮 LIU, HSING CHAO;吴宗宪 WU, TZUNG HSIAN;黄志仁 HUANG, CHIH JEN
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 TW