半导体装置与其制造方法;MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

摘要

一种半导体装置，包括了半导体基板、在半导体基板上的第一层、与在第一层中的汲极区域。汲极区域包括：汲极矩形部份，其具有第一端第二端；第一汲极端点部份，其是相邻于汲极矩形部份，且从汲极矩形部份的第一端开始延伸并远离汲极区域的中心；第二汲极端点部份，其是相邻于汲极矩形部份，且从汲极矩形部份的第二端开始延伸并远离汲极区域的该中心。半导体装置还包括了第一层中的源极区域，此源极区域不接触地围绕汲极区域。第一汲极端点部份与第二汲极端点部份具有和汲极矩形部份相同的掺杂类型与不同的掺杂浓度。