发明名称 |
半导体结构及其制造方法;semiconductor structure and method for manufacturing the same |
摘要 |
半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上,并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。介电结构包括一上介电部分与一下介电部分。介电层介于上介电部分与下介电部分之间,且材料异于上介电部分与下介电部分。第一导电插塞仅穿过上介电部分、介电层与下介电部分,以物性且电性接触第一导电结构。第二导电插塞穿过上介电部分、介电层与下介电部分,以物性且电性接触第二导电结构。 |
申请公布号 |
TW201533887 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
申请号 |
TW103106107 |
申请日期 |
2014.02.24 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
李冠儒 LEE, GUAN RU;江昱维 JIANG, YU WEI |
分类号 |
H01L27/105(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
主权项 |
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地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |