| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
本案提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。半导体装置包括一基板，一闸极结构在基板之上，一源/汲区在基板上与一对间隙壁相邻，蚀刻终止层在一对间隙壁旁且上覆基板，接触插塞延伸进入源/汲区且通过间隙壁部分重叠闸极结构；保护层在上覆于基板的蚀刻终止层之上，且覆盖没有接触插塞之间隙壁旁之蚀刻终止层；以及层间介电层，在保护层之上，接触插塞和闸极结构间，没有接触闸极短路的问题。 |
| 申请公布号 |
TW201533846 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW103144808 |
申请日期 |
2014.12.22 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
江宗育 CHIANG, TSUNGYU;陈光鑫 CHEN, KUANGHSIN |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/485(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
