发明名称 |
绝缘膜的形成方法及使用绝缘膜的装置;METHOD FOR FORMING INSULATING FILM AND DEVICE USING INSULATING FILM |
摘要 |
本发明提供一种显示或照明装置,其使用薄膜电晶体作为驱动用元件,所述薄膜电晶体含有包含光劣化大的物质的半导体层,并且伴随着该些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。本发明的显示或照明装置具备:TFT基板;第1电极,设置于TFT基板上且与所述TFT连接;绝缘膜,以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上,且全光线透射率于波长300nm~400nm下在0%~15%的范围内;以及第2电极,与第1电极相对向而设置;并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜,所述感放射线性材料含有(A)聚合物、(B)感光剂及(C)酚醛清漆树脂等树脂,且相对于聚合物(A)100质量份,所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份~200质量份。; a first electrode, disposed on the TFT substrate and connected to a TFT; an insulating film, formed on the first electrode to partially expose the first electrode, a total light transmittance of which is in a range of 0%-15% in a wavelength of 300 nm-400 nm; and a second electrode, disposed opposite to the first electrode. The insulating film is formed with a radiation-sensitive material. The radiation-sensitive material includes (A) a polymer, (B) a photosensitizer and (C) a resin such as novolak resin. The content of the resin (C) in the radiation-sensitive material is 2-200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer (A). |
申请公布号 |
TW201533524 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
申请号 |
TW103135761 |
申请日期 |
2014.10.16 |
申请人 |
JSR股份有限公司 JSR CORPORATION |
发明人 |
工藤和生 KUDOU, KAZUNARI;安田博幸 YASUDA, HIROYUKI;山村哲也 YAMAMURA, TETSUYA;胜井宏充 KATSUI, HIROMITSU;宫迫毅明 MIYASAKO, TAKAAKI |
分类号 |
G03F7/004(2006.01);G03F7/40(2006.01);G09F9/00(2006.01);G09F9/30(2006.01);H05B33/22(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L33/44(2010.01);H01L51/50(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/004(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |