发明名称 绝缘膜的形成方法及使用绝缘膜的装置;METHOD FOR FORMING INSULATING FILM AND DEVICE USING INSULATING FILM
摘要 本发明提供一种显示或照明装置,其使用薄膜电晶体作为驱动用元件,所述薄膜电晶体含有包含光劣化大的物质的半导体层,并且伴随着该些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。本发明的显示或照明装置具备:TFT基板;第1电极,设置于TFT基板上且与所述TFT连接;绝缘膜,以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上,且全光线透射率于波长300nm~400nm下在0%~15%的范围内;以及第2电极,与第1电极相对向而设置;并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜,所述感放射线性材料含有(A)聚合物、(B)感光剂及(C)酚醛清漆树脂等树脂,且相对于聚合物(A)100质量份,所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份~200质量份。; a first electrode, disposed on the TFT substrate and connected to a TFT; an insulating film, formed on the first electrode to partially expose the first electrode, a total light transmittance of which is in a range of 0%-15% in a wavelength of 300 nm-400 nm; and a second electrode, disposed opposite to the first electrode. The insulating film is formed with a radiation-sensitive material. The radiation-sensitive material includes (A) a polymer, (B) a photosensitizer and (C) a resin such as novolak resin. The content of the resin (C) in the radiation-sensitive material is 2-200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer (A).
申请公布号 TW201533524 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW103135761 申请日期 2014.10.16
申请人 JSR股份有限公司 JSR CORPORATION 发明人 工藤和生 KUDOU, KAZUNARI;安田博幸 YASUDA, HIROYUKI;山村哲也 YAMAMURA, TETSUYA;胜井宏充 KATSUI, HIROMITSU;宫迫毅明 MIYASAKO, TAKAAKI
分类号 G03F7/004(2006.01);G03F7/40(2006.01);G09F9/00(2006.01);G09F9/30(2006.01);H05B33/22(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L33/44(2010.01);H01L51/50(2006.01) 主分类号 G03F7/004(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP