发明名称 藉由空间局限磊晶法生长III-V族材料层
摘要
申请公布号 TWI499085 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW100106026 申请日期 2011.02.23
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 苏杰;克瑞劳可欧嘉
分类号 H01L33/30 主分类号 H01L33/30
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种于一基板上制造一III-V族材料的方法,该方法包括:提供一已图案化基板,该已图案化基板上具有复数个柱体的不连续区块;以及在该已图案化基板上形成一III-V族材料,且该III-V族材料在每个不连续区块的该些柱体之间与该些柱体上为连续,但在该些不连续区块之间为不连续,以形成该III-V族材料的空间局限磊晶区域。
地址 美国