具有增益变化补偿之电晶体

主权项

一种半导体装置，其包括：一主动装置区域；一隔离区域，其中该隔离区域与该主动装置区域形成一边界；及一图案化闸极材料，该图案化闸极材料上覆于该边界之一第一部分与一第二部分之间的该主动装置区域上以定义在该主动装置区域内的一通道，该图案化闸极材料具有一闸极长度尺寸，该闸极长度尺寸垂直于沿着该图案化闸极材料之一主要尺寸的一中心线，该闸极长度尺寸在接近该边界之该第一部分及该第二部分之处大于在该边界之该第一部分及该第二部分的中间处，该图案化闸极材料具有在该边界之该第一部分及该第二部分之间之一第一边缘，该第一边缘从该边界之该第一部分及该第二部分的中间处朝向该边界之该第一部分及该第二部分弯曲。