发明名称 单一P-N接面串接光电伏打装置
摘要
申请公布号 TWI499069 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW097123149 申请日期 2008.06.20
申请人 玫瑰街实验室能量股份有限公司 发明人 瓦鲁凯维西 拉迪斯露;亚哥三世 乔尔W.;余金满
分类号 H01L31/072;H01L31/042 主分类号 H01L31/072
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种太阳能电池,包含:一p型层;一n型层;一介于该p型层和n型层之间的单一p-n接面;一用于在光照下之电荷分离、且形成在具有一第一带隙之该p型层中的电荷分离区;及一用于在光照下之电荷分离、且形成在具有一第二带隙之该n型层中的电荷分离区,其中该第二带隙系不同于该第一带隙;其中该太阳能电池包括多数个电荷分离区而其用于与该单一p-n接面相关连的电荷分离,每一电荷分离区系可分别地在光照下进行电荷分离。
地址 美国