| 摘要 |
<p>Przedmiotem wynalazku jest sposób zwiększenia dokładności przy wyznaczaniu składu trójskładnikowych cienkich warstw tworzących jeden period w wielowarstwowych strukturach półprzewodnikowych za pomocą wysokorozdzielczej dyfrakcji rentgenowskiej. W sposobie tym, najpierw na półprzewodnikowym podłożu, w optymalnych warunkach wzrostu osadza się trójskładnikową warstwę o grubości sumarycznej większej niż 2 µm, przy czym podczas tego osadzania wprowadza się zmianę ciśnienia strumienia jednego z pierwiastków grupy III od ± 0.6% do ± 2% względem wartości średniej, przez czas od 1/50 do 1/3 czasu wzrostu struktury. Następnie mierzy się jej profil dyfrakcyjny i dla każdej z warstw periodu, na podstawie położenia kątowego piku satelitarnego zerowego rzędu względem piku podłożowego obecnego na tym profilu określa się średni skład % tej warstwy, a na podstawie odległości kątowych między sąsiednimi pikami satelitarnymi wyznacza się grubość periodu, po czym z odpowiednich zależności wyznacza się skład procentowy poszczególnych warstw wchodzących w skład periodu.</p> |
