| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest struktura homo-złącza p-n na bazie tlenku cynku (ZnO) oraz sposób wykonania takiego złącza. Struktura ma na podłożu warstwę ZnO domieszkowaną azotem o p-typie przewodnictwa, domieszkowaną lub niedomieszkowaną warstwę ZnO o n-typie przewodnictwa oraz metaliczny kontakt elektryczny. Pomiędzy warstwą ZnO typu p a warstwą ZnO typu n znajduje się dielektryczna przekładka w postaci warstwy tlenku glinu, o grubości od 3 do 10 nm. Sposób wytwarzania struktury homo-złącza p-n polega na tym, że najpierw na nieprzewodzącym podłożu, korzystnie krzemowym, kwarcowym lub szklanym, w temperaturze 30-200°C, osadza się warstwę ZnO o grubości 50-700 nm, o jednym typie przewodnictwa, przy czym jeżeli jest to warstwa typu p to jest nią warstwa ZnO:N. Następnie na tej warstwie, za pomocą metody ALD, w temperaturze 90 - 130°C, osadza się warstwę Al2O3, o grubości od 3 do 10 nm. Z kolei na warstwie Al2O3 osadza się w temperaturze 30°C - 200°C warstwę ZnO o przeciwnym typie przewodnictwa i o grubości 50 - 700 nm. Otrzymaną strukturę wygrzewa w temperaturze 300 - 900°C, w atmosferze tlenu, w czasie od 2 do 10 min. |
