发明名称 Structure of photovoltaic cell and method for producing the photovoltaic cell structure
摘要 Przedmiotem wynalazku jest struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego. Struktura ma podłoże o przewodnictwie typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO a na niej przezroczysta elektroda z kontaktem elektrycznym. W strukturze tej warstwę aktywną ZnO pomiędzy podłożem (1), a warstwą przezroczystej elektrody (6), stanowi warstwa nanosłupków ZnO o wysokości co najmniej 50 nm pokrytych warstwą ZnO o grubości co najmniej 1 nm. Sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego, polega na tym, że najpierw podłoże typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym pokrywa się warstwą zarodkującą, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12, zawierającej rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 1 sekundę. Z kolei z podłoża i wykrystalizowanych nanosłupków warstwy aktywnej usuwa się zanieczyszczenia, i pokrywa nanosłupki warstwą ZnO (5). Następnie warstwę aktywną pokrywa się warstwą przezroczystej elektrody, na której wykonuje się górny kontakt elektryczny.
申请公布号 PL407335(A1) 申请公布日期 2015.08.31
申请号 PL20140407335 申请日期 2014.02.27
申请人 INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK 发明人 GIERA&Lstrok,TOWSKA SYLWIA;GODLEWSKI MAREK;&Lstrok,UKA GRZEGORZ;PIETRUSZKA RAFA&Lstrok,;WACHNICKI &Lstrok,UKASZ;WITKOWSKI BART&Lstrok,OMIEJ
分类号 H01L31/0368;B82Y99/00;C23C26/00;H01L31/036;H01L31/042 主分类号 H01L31/0368
代理机构 代理人
主权项
地址