摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego. Struktura ma podłoże o przewodnictwie typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO a na niej przezroczysta elektroda z kontaktem elektrycznym. W strukturze tej warstwę aktywną ZnO pomiędzy podłożem (1), a warstwą przezroczystej elektrody (6), stanowi warstwa nanosłupków ZnO o wysokości co najmniej 50 nm pokrytych warstwą ZnO o grubości co najmniej 1 nm. Sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego, polega na tym, że najpierw podłoże typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym pokrywa się warstwą zarodkującą, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12, zawierającej rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 1 sekundę. Z kolei z podłoża i wykrystalizowanych nanosłupków warstwy aktywnej usuwa się zanieczyszczenia, i pokrywa nanosłupki warstwą ZnO (5). Następnie warstwę aktywną pokrywa się warstwą przezroczystej elektrody, na której wykonuje się górny kontakt elektryczny. |
申请人 |
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK |
发明人 |
GIERA&Lstrok,TOWSKA SYLWIA;GODLEWSKI MAREK;&Lstrok,UKA GRZEGORZ;PIETRUSZKA RAFA&Lstrok,;WACHNICKI &Lstrok,UKASZ;WITKOWSKI BART&Lstrok,OMIEJ |