| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung eines hyperspektralen Fabry-Perot-Filters mit CMOS-kompatiblen Herstellungs-Verfahrensschritten, wobei die Herstellung folgende Verfahrensschritte umfasst–Abscheiden einer ersten Schicht (1) einer ersten Dicke (d1) aus einem hoch-brechenden Material auf eine ebene Oberfläche;–Ergänzung der ersten hoch-brechenden Schicht (1) zu einem unteren Schichtstapel, beginnend mit einer niedrig-brechenden Schicht (2) einer zweiten Dicke (d2) und endend mit einer hoch-brechenden Schicht (1), durch Abscheiden weiterer alternierender Schichten (1, 2);–Abscheidung einer sehr dünnen Ätzstoppschicht (3) aus dem gleichen Material wie die niedrig-brechende Schicht (2), wobei eine Dicke der Ätzstoppschicht (3) viel kleiner ist als die zweite Dicke (d2), um die Filtereigenschaften aufgrund ihrer vernachlässigbaren Dicke nicht nachteilig zu beeinflussen;–Abscheidung einer hoch-brechenden Schicht zur Ausbildung einer Mischschicht (4) aus dem Material der ersten hoch-brechenden Schicht (1), wobei die Dicke der abgeschiedenen, hoch-brechenden Schicht doppelt so groß ist wie die erste Dicke (d1);–Strukturierung der abgeschiedenen Schicht durch einen CMOS-kompatiblen Lithographieschritt, so dass voneinander beabstandete Löcher (5) entstehen, die einen gleichen Durchmesser haben und in einem jeweiligen Bereich (I, II, III) regelmäßig angeordnet sind, wobei je nach Resonanz-Wellenlänge in einem jeweiligen der Bereiche (I, II, III) der abgeschiedenen Schicht die Abstände der Lochmitten zwischen 180nm (benachbarte Löcher berühren sich) bis 340nm variieren, bei gleicher Lochtiefe der Löcher;–sodass mehrere nebeneinander liegende Bereiche (I, II, III) entstehen und von Bereich zu Bereich die Abstände der Löcher (5) entsprechend der zugehörigen Resonanz-Wellenlänge verschieden sind, indem ein Mischverhältnis der Mischschicht (4) in den mehreren Bereichen (I, II, III) durch die Maske des CMOS-kompatiblen Lithographieschritts und die Lochtiefe definiert wird;–Entfernen der Maske;–Abscheiden eines niedrig-brechenden Materials, das dem Material der niedrig-brechenden Schicht (2) entspricht, wodurch die Löcher (5) komplett gefüllt werden und die Mischschicht (4) ausgebildet wird und über der Mischschicht (4) eine weitere niedrig-brechende Schicht (2) ausgebildet wird, mit einer Dicke eines Mehrfachen der zweiten Dicke (d2); ...</p> |
