发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS |
摘要 |
【課題】優れた電気特性を有するトランジスタを提供する。または、非導通時の電流の小さいトランジスタを提供する。または、導通時の電流の大きいトランジスタを提供する。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、集積度の高い半導体装置を提供する。または、丈夫な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体と、絶縁体と、第1の導電体と、第2の導電体と、を有する半導体装置であって、半導体の上面は、絶縁体と接する領域を有し、半導体の側面は、絶縁体と接する領域を有し、第1の導電体は、絶縁体を介して半導体と互いに重なる第1の領域を有し、第1の領域は、半導体の上面と面する領域と、半導体の側面と面する領域と、を有し、第2の導電体は、半導体と接する第2の領域を有し、第1の領域と、第2の領域と、は互いに重ならない半導体装置である。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015156480(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
申请号 |
JP20150004858 |
申请日期 |
2015.01.14 |
申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD |
发明人 |
KOBAYASHI YOSHIYUKI;MATSUBAYASHI DAISUKE |
分类号 |
H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/088;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/14 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|