| 摘要 |
<p>Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Techniken und Konfigurationen in Zusammenhang mit der Bildung einer Kontaktfleckstruktur für eine Silicium-Durchkontaktierung (TSV) unter Verwendung von Zwischenverbindungsstrukturen von Verbindungsschichten. Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einer ersten Fläche und einer der ersten Fläche entgegengesetzten zweiten Fläche, eine Vorrichtungsschicht, die auf der ersten Fläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, wobei die Vorrichtungsschicht eine oder mehrere Transistorvorrichtungen aufweist, Verbindungsschichten, die auf der Vorrichtungsschicht angeordnet sind, wobei die Verbindungsschichten mehrere Zwischenverbindungsstrukturen aufweisen, und eine oder mehrere Silicium-Durchkontaktierungen, die zwischen der ersten Fläche und der zweiten Fläche angeordnet sind, wobei die mehreren Zwischenverbindungsstrukturen Zwischenverbindungsstrukturen einschließen, die elektrisch mit der einen oder den mehreren TSV gekoppelt sind und dafür ausgelegt sind, eine oder mehrere entsprechende Kontaktfleckstrukturen der einen oder der mehreren TSV bereitzustellen. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.</p> |
