| 摘要 |
【課題】発光輝度のムラを抑制することができる半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、第１導電型を有する第１半導体層、活性層３、第２導電型を有する第２半導体層の積層を含む半導体積層と、半導体積層の第２半導体層表面から、第２半導体層、活性層を貫通し、第１半導体層に入り込み、側面に半導体積層を露出し、底面に第１半導体層を露出する凹部５と、第２半導体層上に形成され、凹部とその周辺に亘る開口を有する第２電極と、第２電極、第２半導体層、凹部側面の半導体積層の露出表面を覆い、凹部底面の第１半導体層を露出する絶縁膜Ｉｎｓと、凹部底面に露出する第１半導体層に接続された第１電極と、第１半導体層の活性層に対向する逆側表面上に形成された光誘導部１であって、第２電極の周辺部に対応する位置に光取り込み構造、第１電極、凹部側壁上の絶縁膜に対応する位置に光放出構造を有する光誘導部と、を有する。【選択図】図１ |
