Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile (100) angegeben, wobei ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (11) bereitgestellt wird. Ferner werden mehrere vereinzelte optoelektronische Halbleiterchips (2) bereitgestellt, wobei die Halbleiterchips (2) jeweils eine Hauptemissionsseite (21) und eine der Hauptemissionsseite (21) gegenüberliegende Kontaktseite (22) aufweisen. Die vereinzelten Halbleiterchips (2) werden anschließend auf die Trägerhauptseite (11) aufgebracht, sodass jeweils die Kontaktseite (22) der Trägerhauptseite (11) zugewandt ist. In Bereichen zwischen den Halbleiterchips wird ein Maskenrahmen (3) aufgebracht, wobei der Maskenrahmen (3) ein Gitter aus Trennwänden (31) ist. In Draufsicht auf die Trägerhauptseite (11) ist jeder Halbleiterchip (2) ringsum von den Trennwänden (31) umgeben. Die Halbleiterchips (2) werden mit einem Konversionsmaterial (4) so vergossen, dass sich auf den Halbleiterchips (2) jeweils ein Konversionselement (41) bildet. Das Konversionselement (41) bedeckt dabei zumindest teilweise die Hauptemissionsseite (21) des jeweiligen Halbleiterchips (2). Anschließend wird der Träger (1) entfernt. In einem weiteren Schritt werden die optoelektronischen Halbleiterbauteile (100) aus dem Maskenrahmen (3) herausgelöst, wobei der Maskenrahmen (3) zerstört wird.