发明名称 |
GRAPHENE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015156500(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
申请号 |
JP20150075897 |
申请日期 |
2015.04.02 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
HEO JIN SEONG;SEO SUN-AE;KIM DONG-CHUL;WOO YUN-SUNG;CHUNG HYUN-JONG |
分类号 |
H01L29/786;C01B31/02;H01L29/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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