发明名称 GRAPHENE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1
申请公布号 JP2015156500(A) 申请公布日期 2015.08.27
申请号 JP20150075897 申请日期 2015.04.02
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 HEO JIN SEONG;SEO SUN-AE;KIM DONG-CHUL;WOO YUN-SUNG;CHUNG HYUN-JONG
分类号 H01L29/786;C01B31/02;H01L29/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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