| 摘要 |
【課題】極めて高い移動度を有し、且つ、ストレス耐性にも優れると共に、ウェットエッチング特性なども良好な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース−ドレイン電極、およびソース−ドレイン電極を保護する保護膜をこの順序で有しており、酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＯの第１の酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＯの第２の酸化物半導体層と、の積層構造を有し、第２の酸化物半導体層はゲート絶縁膜の上に形成され、第１の酸化物半導体層は、第２の酸化物半導体層と保護膜との間に形成されており、且つ、第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層を構成する各金属元素の含有量の、全金属元素の含有量に対する原子比は、いずれも、所定の比率に制御されている。【選択図】図３ |
