| 发明名称 |
EVALUATION METHOD FOR CARBON CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
【課題】シリコン単結晶に含まれる炭素の濃度を高精度で、利便性良く評価する方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶から得られたシリコン基板中に炭素及び酸素以外のイオンを注入する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１により発生する炭素関連欠陥の濃度を測定する第２の工程Ｓ１２と、第２の工程Ｓ１２により測定された炭素関連欠陥の濃度から、シリコン単結晶中の炭素濃度を評価する第３の工程Ｓ１３と、を含む。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2015156420(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
| 申请号 |
JP20140030347 |
申请日期 |
2014.02.20 |
| 申请人 |
SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD |
发明人 |
SUZUKI KATSUYOSHI;TAKENO HIROSHI |
| 分类号 |
H01L21/66;C30B31/22;G01N21/00;G01N21/62;G01N21/63;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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