| 发明名称 |
SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME |
| 摘要 |
【課題】絶縁破壊耐性を向上可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置１は、炭化珪素基板１０と、ゲート絶縁膜２０と、ゲート電極３０と、層間絶縁膜４０ａと、ゲート接続配線３２とを備えている。炭化珪素基板１０は、第１不純物領域１３と、第１不純物領域１３上に設けられた第２不純物領域１４と、第１不純物領域１３から隔てられるように第２不純物領域１４上に設けられる第３不純物領域１５とを含む。トレンチ１７は、第３不純物領域１５および第２不純物領域１４を貫通して第１不純物領域１３に至る側部１７ａと、第１不純物領域１３に位置する底部１７ｂとにより形成されている。断面視において、層間絶縁膜４０ａは、角部１７ｃを覆うように第３不純物領域１５上からゲート電極３０上まで延在している。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2015156429(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
| 申请号 |
JP20140030621 |
申请日期 |
2014.02.20 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
发明人 |
MASUDA TAKEYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/316;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
