发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ゲートがソース又はドレインに電気的に接続され、ソース及びドレインの一方に第1の信号が入力され、チャネル形成層としてキャリア濃度が5?1014/cm3以下である酸化物半導体層を有するトランジスタと、第1の電極及び第2の電極を有し、第1の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第2の電極にクロック信号である第2の信号が入力される容量素子と、を有し、第1の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第3の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成である。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015156505(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
申请号 |
JP20150078887 |
申请日期 |
2015.04.08 |
申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;MIYAKE HIROYUKI;TSUBUKI MASASHI;NODA KOSEI |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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