| 摘要 |
Ein hier offenbartes Halbleiterbauelement (10) ist versehen mit: einer Source-Elektrode (70); einer Gate-Elektrode (80); einer Drain-Elektrode (90); einem ersten Gebiet (20) einer ersten Leitfähigkeitsart, das in einem Bereich ausgebildet ist, der an einer Oberseite des Halbleitersubstrats (11) freiliegt; einem zweiten Gebiet (30) einer zweiten Leitfähigkeitsart; einem dritten Gebiet (40) der ersten Leitfähigkeitsart; und einem vierten Gebiet (50) der ersten Leitfähigkeitsart. Das vierte Gebiet (50) umfasst: ein erstes Drift-Gebiet (52), das in einem Bereich ausgebildet ist, der an der Oberseite freiliegt; ein zweites Drift-Gebiet (54), das eine Verunreinigungskonzentration der ersten Leitfähigkeitsart hat, die höher als die des ersten Drift-Gebiets (52) ist, und das an das erste Drift-Gebiet (52) angrenzt; und ein Drift-Gebiet geringer Konzentration (58), das eine Verunreinigungskonzentration der ersten Leitfähigkeitsart hat, die geringer als die des ersten Drift-Gebiets (52) ist. Das erste Drift-Gebiet (52) steht weiter zu einer Seite des zweiten Gebiets (30) vor als das zweite Drift-Gebiet (54). |
