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<p>셰어드 컨택트 홀 SC1, SC2는, 게이트 전극층 GE1, GE2와 드레인 영역 PIR의 쌍방에 달하고 있다. 평면시에서, 게이트 전극층 GE1, GE2의 한쪽 측벽 E2가, 한쪽 측벽 E1의 가상 연장선 E1a보다도 다른 쪽 측벽 E4 측으로 어긋나 위치하고 있다. 평면시에서, 게이트 전극층 GE1, GE2의 셰어드 컨택트 홀 SC1, SC2가 달하는 부분의 선 폭 D1의 중심선(C2-C2)이, 게이트 전극층 GE1, GE2의 채널 형성 영역 CHN1, CHN2 상에 위치하는 부분의 선 폭 D2의 중심선(C1-C1)에 대하여 어긋나 위치하고 있다. 이것에 의해 셰어드 컨택트 홀의 개구 불량을 억제할 수 있는 반도체 장치 및 포토마스트가 얻어진다.</p> |
