| 发明名称 |
SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME |
| 摘要 |
【課題】ＭＯＳＦＥＴのソース領域の低抵抗化とゲート酸化膜のリーク電流の低減とを両立できる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置のＭＯＳＦＥＴにおいて、ソース領域の低抵抗化とゲート酸化膜のリーク電流の低減との両立を図る。ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜６に生じるリーク電流は、ソース領域４とゲート酸化膜６との界面のラフネスを小さくすることにより抑えられる。ソース領域４の表面部分の不純物濃度を高くする場合には、ゲート酸化膜６はドライ酸化またはＣＶＤ法により形成する。ゲート酸化膜６はウェット酸化により形成する場合には、ソース領域４の表面部分の不純物濃度を低く抑える。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2015156506(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
| 申请号 |
JP20150080887 |
申请日期 |
2015.04.10 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
TARUI YOICHIRO;SUEKAWA EISUKE;YUYA NAOKI;HINO SHIRO;MIURA NARIHISA;IMAIZUMI MASAYUKI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/12 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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