| 摘要 |
<p>Verfahren zum Herstellen eines SiC-Einkristalls, das aufweist: Wachsenlassen eines SiC-Einkristalls an einem ersten Impfkristall (4), der an einem unteren Ende eines Impfkristallhalters (5) gehalten ist, indem der erste Impfkristall in eine Ausgangsmaterialschmelze (1) in einem Tiegel (2) eingetaucht wird; und Ausführen einer Behandlung, die ein Wachstum eines Polykristalls in einer Region außerhalb des ersten Impfkristalls fördert, bei dem die Behandlung, die das Wachstum des Polykristalls fördert, eine Behandlung umfasst, die einen Temperaturgradienten bildet, der eine Abnahme der Temperatur von dem Inneren der Ausgangsmaterialschmelze zu der Flüssigkeitsoberfläche der Ausgangsmaterialschmelze (1), und weiterhin eine Temperaturabnahme von dem Inneren der Ausgangsmaterialschmelze (1) zu dem Boden des Tiegels (2) zeigt, wobei die Behandlung, die das Wachstum des Polykristalls fördert, eine Behandlung des Wachsenlassens eines Polykristalls an einem Graphitmaterial (9) enthält, indem das Graphitmaterial in die freie Oberfläche der Ausgangsmaterialschmelze (1) eingetaucht wird, wobei das Graphitmaterial (9), das in die Ausgangsmaterialschmelze (1) eingetaucht ist, mit einem zweiten Impfkristall versehen ist, und wobei die Behandlung, die das Wachstum des Polykristalls fördert, eine Behandlung des Wachsenlassens eines Polykristalls an dem zweiten Impfkristall enthält, indem der zweite Impfkristall in die freie Oberfläche der Ausgangsmaterialschmelze (1) eingetaucht wird.</p> |
