| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung (100) mit einem Halbleitersubstrat, das einen Hauptbereich (5) und einen Abtastbereich (3) beinhaltet, wobei der Abtastbereich (3) in einer Draufsicht auf das Halbleitersubstrat kleiner als der Hauptbereich (5) ist, wobei der Hauptbereich (5) eine Hauptdiode (1) und einen Haupt-IGBT (2) umfasst, die Hauptdiode (1) umfasst dabei: einen Hauptanodenbereich (161a, 161c, 141a, 141c) einer ersten Leitfähigkeitsart, der auf einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, einen Hauptdiodendriftbereich (13) einer zweiten Leitfähigkeitsart, der auf einer Unterseite des Hauptanodenbereichs (161a, 161c, 141a, 141c) ausgebildet ist, und einen Hauptkatodenbereich (11) der zweiten Leitfähigkeitsart, der auf einer Unterseite des Hauptdiodendriftbereichs (13) und auf einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist; der Haupt-IGBT (2) umfasst dabei: einen Hauptkollektorbereich (12) der ersten Leitfähigkeitsart, der auf einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, einen Hauptdriftbereich (13) der zweiten Leitfähigkeitsart, der auf einer Oberseite des Hauptkollektorbereichs (12) ausgebildet ist, einen Hauptkörperbereich (142a, 142c, 162a, 162c) der ersten Leitfähigkeitsart, der auf einer Oberseite des Hauptdriftbereichs (13) und auf einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, einen Hauptemitterbereich (172a–d) der zweiten Leitfähigkeitsart, der auf einem Teil einer oberen Oberfläche des Hauptkörperbereichs (142a, 142c, 162a, 162c) ausgebildet ist, und eine isolierte Hauptgateelektrode (193), die sich von einer oberen Oberfläche des Hauptemitterbereichs (172a–d) bis zu der Tiefe erstreckt, in der der Hauptkörperbereich (142a, 142c, 162a, 162c) mit dem Hauptdriftbereich (13) in Kontakt steht; und der Abtastbereich (3) umfasst dabei: einen Abtastkollektorbereich (12) der ersten Leitfähigkeitsart, der auf einem Teil einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, einen Abtastdriftbereich (13) der zweiten Leitfähigkeitsart, der auf einer Oberseite des Abtastkollektorbereichs (12) ausgebildet ist, einen Abtastkörperbereich (143a, 143c, 163a, 163c) der ersten Leitfähigkeitsart, der auf einer Oberseite des Abtastdriftbereichs (13) und auf einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet ist, ...</p> |
