Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Ausbildung davon

摘要

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung ein Ausbilden eines Vorrichtungsbereichs (110) in einem Substrat (100) auf. Der Vorrichtungsbereich (110) erstreckt sich durchgängig von einer Seitenwand des Substrats (100) zu einer gegenüberliegenden Seitenwand des Substrats (100). Das Verfahren weist ferner ein Ausbilden von Gräben (50) in dem Substrat (100) auf. Die Gräben (50) teilen den Vorrichtungsbereich (110) in aktive Bereiche. Das Verfahren weist ferner ein Vereinzeln des Substrats (100) durch Trennen des Substrats (100) entlang der Gräben (50) auf.