发明名称 Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
摘要 <p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperschichten. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers (2) zum Abtrennen mindestens einer Festkörperschicht (4), Erzeugen von gezielt eingebrachten Lokal-Spannungen mittels mindestens einer Strahlungsquelle (18), insbesondere einem Laser, in der inneren Struktur des Festkörpers zum Vorgeben einer Ablöseebene, entlang der die Festkörperschicht vom Festkörper abgetrennt wird, Anordnen einer Aufnahmeschicht (10) zum Halten der Festkörperschicht (4) an dem Festkörper (2), thermisches Beaufschlagen der Aufnahmeschicht (10) zum, insbesondere mechanischen, Erzeugen von Ablöse-Spannungen in dem Festkörper (2), wobei sich durch die Ablöse-Spannungen ein Riss in dem Festkörper (2) entlang der Ablöseebene (8) ausbreitet, der die Festkörperschicht (4) von dem Festkörper (2) abtrennt.</p>
申请公布号 DE102014002600(A1) 申请公布日期 2015.08.27
申请号 DE20141002600 申请日期 2014.02.24
申请人 SILTECTRA GMBH 发明人 SCHILLING, FRANZ;RICHTER, JAN
分类号 H01L21/304;C30B33/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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