发明名称 |
一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法 |
摘要 |
一种生长BiFe<sub>1‐x</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>3</sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和CoO按BiFe<sub>1‐x</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>3</sub>化学计量比进行配料,其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11,球磨烘干、200目过筛;预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空10~15min,等静压下制成素坯棒;将素坯棒置于浮区炉中,以30~50℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为10~15mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为5~6mm、长60~100mm外观光亮深黑色的BiFe<sub>1‐x</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>3</sub>系列晶体,成晶质量较高,简化了工艺,效率高。 |
申请公布号 |
CN103160911B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201310067179.8 |
申请日期 |
2013.03.03 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王越;邸大伟;马云峰;蒋毅坚 |
分类号 |
C30B13/00(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I |
主分类号 |
C30B13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种生长BiFe<sub>1‑x</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>3</sub>系列晶体的方法,其特征步骤如下:(1)将粉料Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和CoO按BiFe<sub>1‑x</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>3</sub>化学计量比进行配料,其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11,球磨烘干、200目过筛;在830~850℃保温1h条件下预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;(2)将(1)中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空10~15min,在65~70MPa等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒;(3)将(2)中制得的素坯棒置于浮区炉中,设置料棒和籽晶的旋转方向为反向,旋转速度为10~30rpm,浮区炉的卤素灯的输出功率为1000~1100W,以30~50℃/min的速度升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为10~15mm/h开始生长;(4)设置降温时间为0.5~1h,将生长出的晶体冷却至室温。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |