半导体器件的制造方法

摘要

本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法。首先，通过干法刻蚀处理，在衬底中形成截面为大体矩形的凹槽。接着，通过各向异性的氧化处理，在凹槽的底部和侧壁上形成氧化物层，其中，凹槽侧壁上的氧化物层要比凹槽底部的氧化物层薄。之后，完全地去除凹槽侧壁上的氧化物层，仅保留凹槽底部上的部分氧化物层。然后，以凹槽底部上保留的氧化物层作为停止层，通过晶向选择性的湿法刻蚀处理，将凹槽的侧壁形成为具有∑形状。最后，去除凹槽底部上的氧化物层。本公开实施例的方法通过在凹槽底部形成硅氧化物层，作为后续晶向选择性的湿法刻蚀处理的停止层，从而防止了在形成∑形凹槽时出现尖的底部。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底中形成截面为矩形的凹槽，所述衬底为硅衬底；利用各向异性的氧化处理，在所述凹槽的侧壁和底部上形成氧化物层，其中所述凹槽的侧壁上的氧化物层要比所述凹槽的底部上的氧化物层薄；通过第一各向同性湿法刻蚀处理，完全地去除所述凹槽侧壁上的氧化物层，并部分地去除所述凹槽底部上的氧化物层；以所述凹槽底部上的氧化物层作为停止层，对所述凹槽进行晶向选择性的湿法刻蚀，以将所述凹槽的侧壁形成为Σ形状；以及通过第二各向同性湿法刻蚀处理，去除所述凹槽底部上的氧化物层。