多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法

摘要

本发明多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法涉及一种用于不同形式芯片与无源器件之间混合集成的三维封装结构及加工方法。本发明多芯片混合集成的三维封装结构以一个BGA电路基板作为载体，将一颗QFN封装芯片、一颗裸芯片和若干无源器件进行三维高密度混合集成，其中裸芯片以堆叠的方式集成于QFN芯片上方，形成三维结构，无源器件包括电阻、电容或电感中的一种或多种。本发明多芯片混合集成的三维封装结构的加工方法是在BGA电路基板上表面通过回流焊贴装QFN封装芯片及周边无源器件；在QFN封装芯片上方堆叠裸芯片，形成三维叠层结构，通过金丝键合，将裸芯片与BGA电路基板互连；最后通过塑封和BGA植球完成模块的三维封装。

主权项

一种多芯片混合集成的三维封装结构，包括一个BGA基板(6)、一颗QFN封装芯片(5)、一颗裸芯片(2)，其特征在于：还包括若干无源器件(4)、环氧塑封料(1)、BGA植球(7)，所述BGA基板(6)上表面贴装QFN封装芯片(5)及若干无源器件(4)，若干无源器件(4)分布于QFN封装芯片(5)的周边，所述裸芯片(2)正面向上粘接于QFN封装芯片(5)上方，并通过键合金丝(3)将裸芯片(2)的管脚连接至BGA基板(6)上表面对应的焊盘处，所述环氧塑封料(1)将QFN封装芯片(5)、裸芯片(2)、无源器件(4)和BGA基板(6)包封起来，所述BGA焊球(7)植球在BGA基板(6)下表面的焊盘。