| 发明名称 | 集成驱动电阻的DMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成驱动电阻的DMOS器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，所述DMOS器件包括：栅端口、驱动电阻和若干DMOS单元，每个DMOS单元均包括栅极，所述栅端口与所述驱动电阻的一端连接，所述驱动电阻的另一端与每个DMOS单元的栅极分别连接。本发明通过在DMOS器件中设置栅端口的驱动电阻，降低了DMOS单元的开关速度，并抑制了高频振荡。 | ||
| 申请公布号 | CN104867972A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201410058147.6 | 申请日期 | 2014.02.20 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 蔡远飞;何昌;姜春亮 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种集成驱动电阻的DMOS器件，其特征在于，所述DMOS器件包括：栅端口、驱动电阻和若干DMOS单元，每个DMOS单元均包括栅极，所述栅端口与所述驱动电阻的一端连接，所述驱动电阻的另一端与每个DMOS单元的栅极分别连接。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||