发明名称 |
薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置 |
摘要 |
本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板,其包括:基板;设置在所述基板上的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在所述基板上的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层,所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。 |
申请公布号 |
CN104867933A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510087377.X |
申请日期 |
2015.02.25 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板,包括:基板;设置在所述基板上的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在所述基板上的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层,所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。 |
地址 |
韩国首尔 |